RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Comparar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
52
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
1,145.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
4200
Por volta de 6.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
34
Velocidade de leitura, GB/s
2,614.5
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,145.9
11.9
Largura de banda de memória, mbps
4200
25600
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
409
2812
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Relatar um erro
×
Bug description
Source link