RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2808
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link