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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
44
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2765
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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