RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
44
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2340
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link