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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 44
    左右 -100% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 2340

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较

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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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AMD R744G2606U1S 4GB
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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内存RAM
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Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
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内存RAM
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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