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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
44
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
22
读取速度,GB/s
11.2
16.1
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2340
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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