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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
1,869.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
74
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
74
64
读取速度,GB/s
4,178.4
4,477.7
写入速度,GB/s
2,201.1
1,869.1
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
697
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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