RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3299
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link