RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3299
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link