RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
44
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2722
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link