RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
44
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
37
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2722
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link