RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3849
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link