RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
44
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.3
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
18.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3849
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link