RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
44
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
21.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
19.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
4044
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link