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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
44
Rund um -10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2362
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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Teclast TLD416G26A30 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
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