RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2400
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 9905471-084.A00LF 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link