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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
44
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
38
读取速度,GB/s
11.2
13.9
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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