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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
90
左右 57% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
90
读取速度,GB/s
12.8
14.6
写入速度,GB/s
7.4
7.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
1546
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
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