RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
54
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
1904
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link