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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
54
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
54
读取速度,GB/s
11.2
9.3
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
1904
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
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