RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
8.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
1999
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link