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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Puntuación global
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 8.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    38 left arrow 44
    En -16% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    44 left arrow 38
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.2 left arrow 8.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2293 left arrow 1999

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM

EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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