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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
11.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
1860
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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