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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
49
En -123% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3007
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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