RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3007
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link