RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3007
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link