RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB против Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
43
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.7
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.1
11.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
31
43
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
12.1
Скорость записи, Гб/сек
7.7
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1972
2034
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link