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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
43
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
31
43
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.7
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1972
2034
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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