Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Note globale
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 43
    Autour de 28% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.7 left arrow 7.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    12.1 left arrow 11.6
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    31 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.6 left arrow 12.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.7 left arrow 7.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1972 left arrow 2034
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons