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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
43
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
31
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.6
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1972
2034
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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