Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 43

Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.7 7.6

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1972 2034

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns