RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2732
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link