RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
44
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
2337
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link