RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
44
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2337
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link