RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3082
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link