RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3037
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link