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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
49
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
24
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3037
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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