RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
2467
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link