RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
49
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2467
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link