RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
49
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
49
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2493
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link