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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

総合得点
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

総合得点
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB 考慮すべき理由
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 49
    周辺 -23% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.0 left arrow 7.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 11.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 10.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2070 left arrow 2493

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAMの比較

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
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