RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3242
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link