RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
73
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3242
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link