RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
73
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3242
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link