RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
73
Около -109% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3242
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link