RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3933
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link