RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
49
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2070
3933
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link