RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gesamtnote
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
49
Rund um -69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.1
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2070
3392
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link