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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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需要考虑的原因
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.1
17.5
写入速度,GB/s
7.8
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3392
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
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