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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
56
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
56
读取速度,GB/s
13.0
18.7
写入速度,GB/s
8.6
8.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2201
2235
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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