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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
11.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2963
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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