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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
44
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2963
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
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Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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